GA50JT17-247
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | GA50JT17-247 |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | TRANS SJT 1700V 100A TO247 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | - |
Vgs (Max) | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
Verlustleistung (max) | 583W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Typ FET | - |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
GA50JT17-247 Einzelheiten PDF [English] | GA50JT17-247 PDF - EN.pdf |
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GA50JT17-247GeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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